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FDB6670AS| MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB

FDB6670AS

Desc :   MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB

Brand :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

Stock: AVAIL

销售部门 :
quxiuyong2013@vip.163.com

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属性

FET功能 Standard
FET类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Power - Max 62.5W
Rds On(Max)@ Id,Vgs 8.5 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 1mA
供应商设备包 TO-263AB
包裹/箱子 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
漏极到源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续排水(Id)@ 25°C 62A (Ta)
输入电容(Ciss)@ Vds 1570pF @ 15V
门电(Qg)@ Vgs 39nC @ 15V
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