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FDB6021P| MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB

FDB6021P

Desc :   MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB

Brand :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

Stock: AVAIL

销售部门 :
quxiuyong2013@vip.163.com

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属性

FET功能 Standard
FET类型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Power - Max 37W
Rds On(Max)@ Id,Vgs 30 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
供应商设备包 TO-263AB
包裹/箱子 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型 Surface Mount
工作温度 -65°C ~ 175°C (TJ)
漏极到源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续排水(Id)@ 25°C 28A (Ta)
输入电容(Ciss)@ Vds 1890pF @ 10V
门电(Qg)@ Vgs 28nC @ 4.5V

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